一·設備用途：

1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料；

2. 區(qū)熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個單晶體中）

3. 焊接和測量液體中的擴散率等。

二·設備優(yōu)點：

1·區(qū)熔加熱爐采用往復區(qū)熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區(qū)的寬度問題；生長室的設計成功解決生長室的污染問題，

2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；

3·開發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設置區(qū)熔的溫度，區(qū)熔的速度及次數(shù)。

三·主要技術參數(shù)

1.***加熱溫度：1100℃使用溫度：500-1000℃

2.設備功率：25Kw±10%三相380v 50Hz（三相五線制）

3.感應電源功率：15Kw±10%三相380v 50Hz（三相五線制）
4.冷態(tài)極限真空度：   ≤6.7×10-4Pa

5·石墨舟尺寸：Ф70*200mm（內(nèi)徑*長度，半圓柱）

6·石英管（腔室）尺寸：￠100*1200（根據(jù)實際情況做調(diào)整）

7·加熱方式：高頻感應加熱

9·區(qū)熔行程及速度：位移行程≦1000mm

慢速：1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm

快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據(jù)客戶需求設計

10.爐內(nèi)充氣壓力：≤0.03MPa（氬氣）

11·充氣系統(tǒng)：      自動充放氣

12.區(qū)熔溫區(qū)：1溫區(qū)

13.石英管法蘭連接方式：真空水冷密封法蘭形式，留KF25真空接口，法蘭材質(zhì)304不銹鋼

14.控制方式：觸摸屏+plc