為了在原子尺度上建立材料的性質(zhì)與其結(jié)構(gòu)之間的相關(guān)性,研究者迫切需要用掃描/透射電子顯微鏡(S/TEM)對(duì)材料的結(jié)構(gòu)進(jìn)行原子尺度的直接成像。雖然高分辨率 TEM 和 STEM是大多數(shù)材料結(jié)構(gòu)的常規(guī)表征手段,但由于電子束敏感材料(如金屬有機(jī)骨架(MOFs)、分子篩、超分子晶體、雜化鹵素鈣鈦礦等)極度的不穩(wěn)定性,以常規(guī)方式觀察它們的結(jié)構(gòu)仍然是一個(gè)極大的挑戰(zhàn)。隨著超低劑量電子顯微成像技術(shù)(ultralow-dose (S)TEM)的開發(fā),電子束敏感材料的高分辨率成像這一難題在很大程度上得到了解決。過(guò)去幾年間,包括上述材料在內(nèi)的各種電子束敏感材料的納米顆粒高分辨(S)TEM成像都獲得了成功。但是,對(duì)于需要“試樣制備”的體相電子束敏感材料的(S)TEM成像仍然具有極大的挑戰(zhàn)。這是因?yàn)?,電子束敏感材料的TEM試樣制備非常具有挑戰(zhàn),這些電子束敏感材料往往對(duì)于其它各種作用力也很敏感,其結(jié)構(gòu)很容易被常規(guī)的試樣制備方法所破壞。鑒于超低劑量電子顯微成像技術(shù)日趨成熟,如何開發(fā)出有效的、可適用于體相敏感材料的試樣制備技術(shù)變得十分迫切。
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