可控硅控制器適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電感性負(fù)載的直流調(diào)壓裝置（如電鍍、電氧化、電加熱……）。

1.1 可控硅控制器適用范圍

本控制器為三相相控整流裝置的可控硅閉環(huán)觸發(fā)控制器。工作可靠，脈沖對(duì)稱度高，溫度穩(wěn)定性好，功能齊全。適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電感性負(fù)載的直流調(diào)壓裝置(如電鍍、電氧化、電加熱……)。

1.2 可控硅控制器特點(diǎn)

鎖相控制模擬—數(shù)字觸發(fā)電路

開環(huán)—閉環(huán)兩種控制方式

限壓恒流或限流恒壓兩種調(diào)節(jié)方式

相序自適應(yīng)功能(應(yīng)用時(shí)，不用找相序及定相定同步。)

上電封鎖、軟起動(dòng)功能。

過流過壓保護(hù)功能

一體化結(jié)構(gòu)，集電源、保護(hù)單元、觸發(fā)單元、脈沖變壓器于一體，使用調(diào)試簡單，不用示波器。

2  可控硅控制器技術(shù)參數(shù)

2.1 觸發(fā)輸出(六路雙脈沖列)

脈沖寬度：＞1.6ms

脈沖電流峰值：＞800mA

各相脈沖不均衡度：≤1°

移相范圍：0—170°

2.2 調(diào)節(jié)特性(電流電壓雙調(diào)節(jié))

恒壓、恒流精度：優(yōu)于1%

調(diào)節(jié)時(shí)間：0.1S

2.3 反饋參數(shù)

電壓反饋輸入：直流12V，內(nèi)阻6K。

電流反饋輸入：交流互感器 100mA，輸入內(nèi)阻1Ω。

直流分流器 75mV，內(nèi)阻1KΩ。

電流傳感器 直流5V，內(nèi)阻50K。

注：上述反饋量值是額定輸出時(shí)的反饋值

2.4 輸入控制電壓：0— -10V

2.5 保護(hù)特性

   過流保護(hù)整定范圍：額定負(fù)載電流的50—200%

   過壓保護(hù)整定范圍：額定電壓的50—200%

2.6 工作環(huán)境

   環(huán)境溫度：-25—+40℃

   相對(duì)濕度：＜85%

2.7 電源：三相380V±10%，50Hz。

2.8 整機(jī)功耗：＜10W

2.9 外型尺寸：262×192×60(詳見附圖2)

2.10 重量：1.3Kg