產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）生長方式：直拉單晶（CZ） 熱氧化工藝直徑與公差：100#177;0.4mm摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（摻硼）晶向：lt;111gt;lt;100gt;電阻率：0.001-50（Ω?cm） 可按客戶要求定制

低維材料在線商城可為客戶訂制不同參數(shù)的二氧化硅氧化片，質(zhì)量優(yōu)良；氧化層厚度、致密性、均勻性和電阻率晶向等參數(shù)均按照國標(biāo)執(zhí)行。
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個*的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應(yīng)用范圍：
1，刻蝕率測定
2，金屬打線測試
3，金屬晶圓
4，電性絕緣層

產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）
生長方式：直拉單晶（CZ）  熱氧化工藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜類型：N型(摻磷、砷、銻) P型（摻硼）
晶向：<111><100>
電阻率：0.001-50(Ω•cm) 可按客戶要求定制
工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size > 0.3μm)
現(xiàn)有規(guī)格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體
 

注：本商城提供多系列多規(guī)格的硅片，標(biāo)價(jià)僅為一種規(guī)格，如需多種規(guī)格請與客服。