自由空間太赫茲發(fā)射器（太赫茲光電導(dǎo)天線）

自由空間的太赫茲發(fā)射器由一個(gè)光電導(dǎo)天線和高阻硅透鏡封裝而成。我們通常使用低溫生產(chǎn)的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作為光電導(dǎo)材料。不同的光電導(dǎo)材料適用于不同的激發(fā)波長(zhǎng)。

太赫茲發(fā)射器參數(shù)規(guī)格

LT-GaAs天線	GaBiAs天線
激發(fā)功率：<50mW, 典型值30mW	激發(fā)功率：<50mW
偏置電壓：<50V, 典型值40V	偏置電壓：<40V
集成高阻硅透鏡	集成高阻硅透鏡
激發(fā)波長(zhǎng)：800±40nm	激發(fā)波長(zhǎng)：1050±40nm
封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm	封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm

自由空間太赫茲探測(cè)器（太赫茲光電導(dǎo)天線）

太赫茲探測(cè)器參數(shù)規(guī)格

LT-GaAs天線	GaBiAs天線
激發(fā)功率：<50mW	激發(fā)功率：<25
集成預(yù)放大器	集成預(yù)放大器
集成高阻硅透鏡	集成高阻硅透鏡
探測(cè)太赫茲帶寬：[ protected]激光脈寬	探測(cè)太赫茲帶寬：[ protected]激光脈寬
太赫茲頻譜峰值位置：400GHz	太赫茲頻譜峰值位置：400GHz
激發(fā)波長(zhǎng)：800±40nm	激發(fā)波長(zhǎng)：1050±40nm
封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm	封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm

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