設(shè)計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。

• 高質(zhì)量的薄膜，高產(chǎn)量和出色的均勻性

• 電極的適用溫度范圍寬

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

• 可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

• 成本低且易于維護

• 電阻絲加熱電極，溫度可達400°C或1200°C

• 實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝

應(yīng)用

• 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途
• 用于高亮度LED 生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

特點

通過均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室，將反應(yīng)粒子輸送到襯底

在維持低氣壓的同時，允許使用較高的氣體通量

高度可變的下電極

充分利用等離子體的三維特性，在的高度條件下，襯底厚度可達10mm

電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過液氮，液體循環(huán)制冷機或電阻絲加熱

可選的吹排及液體更換單元可自動進行模式切換

由再循環(huán)制冷機單元供給的液體控溫的電極

出色的襯底溫度控制

射頻功率加載在噴頭上，同時優(yōu)化氣體輸送

提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應(yīng)力

ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm 

確保200mm晶圓的工藝均勻性

高抽氣能力

提供了更寬的工藝氣壓窗口

晶圓壓盤與背氦制冷

更好的晶片溫度控制