牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD特點(diǎn)

• 更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝

• 高質(zhì)量薄膜

• 電極的適用溫度范圍寬

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

• 快速更換不同尺寸晶圓

• 購(gòu)置成本低且易于維護(hù)

• 緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活

• 電阻絲加熱電極，溫度可達(dá)400°C或1200°C

• 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝

牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD應(yīng)用

• 在低溫度下沉積低損傷的薄膜
• 可沉積的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，襯底溫度可低至5ºC 
• 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
• 晶圓尺寸高至200mm
• 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
• 已獲得的ICPCVD氣體配送技術(shù)
• 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝