原子層沉積 ALD 是基于順序使用氣相化學過程的重要技術(shù)之一, 它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積 CVD . 多數(shù) ALD反應使用兩種或更多種化學物質(zhì)（稱為前驅(qū)物, 也稱為“反應物”）. 這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式, 一次與一種材料的表面反應. 通過多個 ALD 循環(huán), 緩慢地沉積薄膜.

熱沉積式的 ALD 需要較高的制程溫度 (傳統(tǒng)為 150-350°C). 上海伯東代理原子層沉積設備可以精準的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 +/- 1％, 廣泛應用于 OLED 和硅太陽能電池的鈍化層, 微機電系統(tǒng), 納米電子學, 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜, 光學薄膜, 薄膜封裝技術(shù)等領(lǐng)域.

上海伯東原子層沉積設備配置和優(yōu)點
ALD 具有許多優(yōu)點, 例如出色的均勻性, 在復雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性, 低溫處理. 因此, ALD 被廣泛應用于微電子, 納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中.
客制化的基板尺寸, zui大直徑可達 300mm 晶圓
優(yōu)異的薄膜均勻度小于 ±1％
較高的深寬比和復雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積
薄膜具有高致密性
前驅(qū)物材料可多達 6種并可分別加熱到 200°C
快速脈沖的氣體輸送閥, 反應時間為 10毫秒
通過穩(wěn)定的溫度控制, 將基板載臺加熱到 400°C
材料: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt … 等等

原子層沉積設備腔體和選件
原子層沉積設備腔體為鋁腔或者不銹鋼腔體, 其占地面積小, 可縮短制程時間, 通過使用水冷系統(tǒng), 加熱器或加熱包來控制腔體溫度.
設備可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起, 搭配使用橢圓偏振光譜儀和高真空傳送系統(tǒng).

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上海伯東: 羅先生