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上海伯東代理KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100

參考價(jià)	￥ 1140000
訂貨量	≥1件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌
型號(hào)
所在地 上海市
廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
更新時(shí)間 2023/1/5 14:34:00
訪問(wèn)次數(shù) 559

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2020年01月08日至 2020年02月08日

特價(jià)促銷

模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時(shí), 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性.

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KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時(shí), 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達(dá)到 400 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)

陽(yáng)極	電感耦合等離子體射頻自動(dòng)匹配
zui大陽(yáng)極功率	600W
zui大離子束流	> 300mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動(dòng)能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2,其他
流量	5-20 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)	OptiBeamTM
離子束柵極	10cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬, 石墨
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000
高度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國(guó) HVA 真空閘閥
德國(guó) Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生