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EL X-01R、EL X-02 C、EL X-02 spec 橢偏儀

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我也要出現(xiàn)在這里

橢偏儀主要應(yīng)用在薄膜科學(xué)相關(guān)的各行業(yè),用來(lái)測(cè)量薄膜(多層)的厚度、粗糙度以及光學(xué)常數(shù)(如吸收系數(shù)、折射率等) ?。?) 半導(dǎo)體工業(yè)的各種薄膜和多層結(jié)構(gòu)。 ?。?) 光電子工業(yè)的涂層  (3) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工業(yè)的磁膜 ?。?) 平板顯示工業(yè)的 ITO薄膜和薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)  (5) 生物和化學(xué)工業(yè)的各種有機(jī)層,分子膜等

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

 DRE公司設(shè)計(jì)的基于誤差修正的步進(jìn)馬達(dá)和MinSearch算法基礎(chǔ)上的高精度橢偏儀,測(cè)量更為簡(jiǎn)單、快速,而且結(jié)果更為準(zhǔn)確。樣品的Alignment非常簡(jiǎn)單,只需調(diào)整樣品臺(tái)下方的旋鈕,改變 Light Angle Light Intensity,并借助四象限探測(cè)器在計(jì)算機(jī)屏幕上顯示的調(diào)整狀況,便可在不超過(guò) 30 秒鐘的時(shí)間內(nèi)完成。無(wú)需經(jīng)常做儀器校準(zhǔn)。由于使用高精度的 Step Motor,且無(wú)需使用Reference Sample經(jīng)常進(jìn)行做儀器Calibration。可進(jìn)行超薄膜(皮米級(jí))的分析??蛇M(jìn)行半導(dǎo)體Si Wafer 表面灰塵的分析,這是目前所有橢偏儀廠商中*具備此項(xiàng)功能的一家。薄膜粗糙度 (Roughness) 的表征也是目前所有橢偏儀制造廠中*特色的一家??蛇M(jìn)行變溫(液氮至400ºC)測(cè)量??焖?/SPAN>Mapping測(cè)量。使用X-Y 樣品臺(tái), 進(jìn)行 1 /點(diǎn)的Mapping 或微秒/點(diǎn)的快速掃描??煞治?/SPAN> 8" 甚至于 12" Si Wafer的厚度變化??蛇M(jìn)行微區(qū)分析(激光焦斑的尺寸可達(dá)1微米)。應(yīng)用范圍非常廣泛:如Si襯底上的SiO2SixNy薄膜,光電子涂層,各種磁性薄膜,平板顯示工業(yè)的 ITO薄膜和薄膜晶體管的結(jié)構(gòu),生物和化學(xué)工業(yè)的各種有機(jī)層、分子膜,光觸媒用TiO2 薄膜分析,鋁熱交換器表面抗氧化薄膜,奔馳汽車引擎或汽缸激光焊接前的清潔薄膜分析等。同時(shí),提供多種光譜儀選擇,如回轉(zhuǎn)檢偏器橢偏儀(RAE),高精度橢偏儀,消光型橢偏儀(Null Ellipsometer),光譜型橢偏儀(Spectroscopic Ellipsometer,190~2400 nm,可選),超高精度傳動(dòng)橢偏儀等。


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