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電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡-PSM II

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電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國PANCO公司與德國宇航中心聯(lián)合研發(fā)的熱電材料精細(xì)測量設(shè)備,該設(shè)備主要用來測量熱電材料中電勢和塞貝克系數(shù)的二維分布情況。集成化、自動化的設(shè)計方案使系統(tǒng)使用非常方便。的穩(wěn)定性和可靠性彰顯了傳統(tǒng)德國制造業(yè)的優(yōu)良品質(zhì)。全新推出的第二代電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡(PSM II)在代的基礎(chǔ)上具有更高的位置分辨率和更高的測量精度。應(yīng)用領(lǐng)域:1、熱電材料,超導(dǎo)材料,燃料電池,導(dǎo)電陶瓷以及半導(dǎo)體材料的均勻度測量2、功能梯度材料測量3、觀察材料退化效應(yīng)4、監(jiān)測 NTC/PTC 材料的電阻漂移5、固體電介質(zhì)材料中的傳導(dǎo)損耗6、陰極材料的電導(dǎo)率損耗7、GMR 材料峰值溫度的降低,電阻率的變化8、樣品的質(zhì)量監(jiān)控

詳細(xì)信息 在線詢價

產(chǎn)品特點:


+ 可以精確測量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設(shè)備。

+ 精確的力學(xué)傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。

+ 采用鎖相技術(shù),精度超過大型測試設(shè)備。

+ 快速測量、方便使用,可測塊體和薄膜。

主要技術(shù)參數(shù):


+ 位置定位精度:單向 0.05 μm;雙向 1 μm

+ 大掃描區(qū)域:100 mm × 100 mm 典型值

+ 局部測量精度:5 μm(與該區(qū)域的熱傳導(dǎo)有關(guān))

+ 信號測量精度:100 nV(采用高精度數(shù)字電壓表)

+ 測量結(jié)果重復(fù)性:重復(fù)性誤差優(yōu)于3%

+ 塞貝克系數(shù)測量誤差:< 3% (半導(dǎo)體);< 5% (金屬)

+ 電導(dǎo)率測量誤差: < 4%

+ 測量速度:測量一個點的時間4-20秒


系統(tǒng)組成:


+ 三矢量軸定位平臺及其控制器

+ 定位操縱桿

+ 加熱、測溫探針

+ 力學(xué)接觸探測系統(tǒng)

+ 模擬多路器

+ 數(shù)字電壓表

+ 鎖相放大器

+ 攝像探測系統(tǒng)

+ 帶有控制軟件和數(shù)據(jù)接口的計算機(jī)

+ 樣品臺與樣品夾具

樣品夾具


加熱測溫探針



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