Interface 1010E
Interface 1010E可以進行各種電化學(xué)測量, 其中也包括電化學(xué)阻抗技術(shù)。例如：物理電化學(xué)，電化學(xué)腐蝕, 電池測試， 燃料電池測試， 太陽能電池測試和傳感器發(fā)展等應(yīng)用。
電化學(xué)阻抗譜
靈活配置
Interface 1010E可以用于單通道， 雙通道，或者多通道組合。GAMRY 提供了靈活配置。
下面給出Interface 1010E的更多性能。每一個點表示一項性能。
- 物理電化學(xué) -循環(huán)伏安法，線性掃描伏安法, 計時安培，計時電位, 計時庫侖法, 多步計時安培法, 以及多步計時電位技術(shù)。
- 脈沖伏安法 – 微分脈沖伏安法，常規(guī)脈沖伏安法, 反向脈沖伏安法, Osteryoung 方波伏安法以及諸如陽極溶出伏安法相關(guān)的技術(shù)。
- DC腐蝕 - 運行標(biāo)準(zhǔn)直流腐蝕測試，如極化電阻，電位，循環(huán)極化和電偶腐蝕等
- 電化學(xué)能源器件-測試電池，電容器和燃料電池的單節(jié)和電池堆。包括充電、放電、循環(huán)充放電恒、恒電位、恒電流、自放電、漏電率與讀電位等典型測試技術(shù)。
- 電化學(xué)信號分析儀 - 用于時間相關(guān)的電化學(xué)噪聲信號的采集和分析軟件。對電壓和電流的連續(xù)監(jiān)測, 速率從0.1赫茲到1千赫茲。功能齊全的分析工具，如統(tǒng)計分析，趨勢，阻抗譜，和直方圖分析。
- 電化學(xué)頻率調(diào)制 - 一種非破壞性的腐蝕速率的測量方法。通過該項技術(shù), 腐蝕速度未經(jīng)塔菲爾常數(shù)直接進行測量。此外，該技術(shù)可以確定塔菲爾常數(shù)，并提供與點蝕相關(guān)的參數(shù)。
- 臨界點蝕溫度 - 控制Gamry恒電位，TDC4溫度控制器，及相關(guān)配件，自動測量材料的臨界點蝕溫度。
- 電化學(xué)噪聲 - 電化學(xué)噪聲測試是一個更普遍的技術(shù)。其可以和ECM8多路器兼容進行電化學(xué)噪聲測量的軟件包。
- 電化學(xué)阻抗-除了單頻率的Mott-Schottky測量，還包括恒電位、恒電流和混合阻抗測量。其中包括*的多波權(quán)重技術(shù)提高信噪比。分析方面，采用等效電路圖擬合數(shù)據(jù), Kramers-Kronig轉(zhuǎn)換評估數(shù)據(jù)與圖形編輯器等。軟件包括阻抗模擬部分。
- eChemAC 工具包 - 軟件工具包，*控制恒電位儀進行阻抗（EIS）的測量和EFM實驗。
其他細(xì)節(jié)
- 2, 3 和4 電極的測量
- 電氣隔離
- 浮地：用于高壓釜，機械應(yīng)力設(shè)備或管線。
- 便攜式
- 化學(xué)教科書的尺寸，僅重3公斤。USB 2.0連接到Windows計算機。
內(nèi)置EIS
- 采用*DDS進行10μHz到2 M Hz的EIS測量。
- DSP （數(shù)字信號處理）模式
- 過采樣模式提高信噪比和精確的電容測量。
- Gamry恒電位儀及其控制軟件, 采用線性回歸法, 精確測量和實現(xiàn)IR補償。
- 輔助I / O
- 保值期
2年廠家保修服務(wù)。
系統(tǒng) |
| 恒電位儀 | 是 |
| 恒電流儀 | 是 |
| 零電阻電流儀 | 是 |
| 浮地設(shè)計(與地絕緣) | 是 |
| 電極連接 | 2，3或者4電極 |
| 大電流 | ±1 A |
| 電流范圍 | 9 (10 nµA-1A) |
| 電流量程（包括內(nèi)部增益） | 11 |
| 小電流分辨率 | 3.3 fA |
| 大施加電位 | ±12 V |
| 上升時間 | <1 μs |
| 小時間基數(shù) | 10 μs |
| 噪聲和紋波(典型的) | <20 μV rms |
| 重量 | 2.4 公斤 |
| 2.4 公斤 | 24 (W) x 6 (H) x 27 (D) 27 厘米 |
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控制放大器 |
| 槽壓 | ±20 V (@ 1A) |
| Output Current | >±1 A |
| 速度設(shè)定 | 5 |
| 增益帶寬（典型） | 980, 260, 40, 4, 0.4 kHz |
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EIS 測量 |
| 頻率范圍 | 10 μHz - 2 MHz |
| 阻抗精確圖 | 見阻抗精確圖 |
| 施加電壓振幅 | 2.33 V maximum
17.8 μV minimum |
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電位計 |
| 輸入阻抗 | >1012 Ω |
| 輸入電流 | <20 pA |
| 帶寬 | >10 MHz |
| 共模抑制比 | >80 dB (10 kHz)
>60 dB (1 MHz) |
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電位 |
| 施加精度 | ±1 mV ±0.2% 設(shè)置范圍 |
| 施加分辨率 | 200 μV, 50 μV, 12.5 μV/bit |
| 測量精度 | ±1 mV ±0.3% 讀數(shù)范圍 |
| 測量分辨率 | 1 μV, 10 μV, 100 μV, 400 μV/bit |
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施加 電流 |
| 施加 精度 | ±5 pA ±0.3% 量程 |
| 施加分辨率 | 0.0033% |
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測量電流 |
| 測量精度 | ±5 pA ±0.3% 施加/測量分辨率 |
| 測量分辨率 | 0.0033% |
| 施加/測量分辨率 | >10 MHz (1A - 100 μA)
>1.5 MHz (10 μA)
>0.15 MHz (1 μA) |
