KLA是半導體在線檢測設(shè)備市場大的供應(yīng)商，在半導體、數(shù)據(jù)存儲、 MEMS 、太陽能、光電子以及其他領(lǐng)域中有著*的*。 P-7是KLA公司的第八代探針式臺階儀系統(tǒng)，歷經(jīng)技術(shù)積累和不斷迭代更新，集合眾多技術(shù)優(yōu)勢。 P-7建立在市場的P-17臺式探針輪廓分析系統(tǒng)的成功基礎(chǔ)之上。 它保持了P-17技術(shù)的測量性能，并作為臺式探針輪廓儀平臺提供了*的性價比。 P-7可以對臺階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進行2D和3D測量，其掃描可達150mm而無需圖像拼接。從可靠性表現(xiàn)來看， P-7具有業(yè)界的測量重復性。UltraLite®傳感器具有動態(tài)力控制，良好的線性，和精準的垂直分辨率等特性。友好的用戶界面和自動化測量可以適配大學、研發(fā)、生產(chǎn)等不同應(yīng)用場景。

二、 功能

設(shè)備特點

臺階高度：幾納米至1000um

微力恒力控制：0.03mg至50mg

樣品全直徑掃描，無需圖像拼接

視頻：500萬像素高分辨率彩色攝像機

圓弧矯正：消除由于探針的弧形運動引起的誤差

生產(chǎn)能力：通過測序，模式識別和SECS/GEM實現(xiàn)全自動化

主要應(yīng)用

薄膜/厚膜臺階

刻蝕深度測量

光阻/光刻膠臺階

柔性薄膜

表面粗糙度/波紋度表征

表面曲率和輪廓分析

薄膜的2D Stress量測

表面結(jié)構(gòu)分析

表面3D輪廓成像

缺陷表征和分析

其他多種表面分析功能

三、應(yīng)用案例

· 臺階高度

P-7可以提供納米級到1000μm的2D和3D臺階高度的測量。 這使其能夠量化在蝕刻，濺射，SIMS，沉積，旋涂，CMP和其他工藝期間沉積或去除的材料。P-7具有恒力控制功能，無論臺階高度如何都可以動態(tài)調(diào)整并施加相同的微力。這保證了良好的測量穩(wěn)定性并且能夠精確測量諸如光刻膠的軟性材料。

紋理：粗糙度和波紋度

P-7提供2D和3D紋理測量并量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件濾鏡功能將測量值分為粗糙度和波紋度部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數(shù)。

外形：翹曲和形狀

P-7可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如半導體或化合物半導體器件生產(chǎn)中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導致這種翹曲的原因。P-7還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

應(yīng)力：2D和3D薄膜應(yīng)力

P-7能夠測量在生產(chǎn)包含多個工藝層的半導體或化合物半導體器件期間所產(chǎn)生的應(yīng)力。 使用應(yīng)力卡盤將樣品支撐在中性位置并精確測量樣品翹曲。然后通過應(yīng)用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計算應(yīng)力。2D應(yīng)力通過在直徑達200mm的樣品上通過單次掃描測量，無需圖像拼接。3D應(yīng)力的測量采用多個2D掃描，并結(jié)合θ平臺在掃描之間的旋轉(zhuǎn)對整個樣品表面進行測量。

缺陷復檢

缺陷復查用于測量如劃痕深度之類的缺陷形貌。缺陷檢測設(shè)備找出缺陷并將其位置坐標寫入KLARF文件。“缺陷復檢”功能讀取KLARF文件、對準樣本，并允許用戶選擇缺陷進行2D或3D測量。