物理特性薄膜表征系統(tǒng)，高度集成且易于使用的測量平臺。

薄膜的物理性質不同于大塊材料，因為由于尺寸較小和高縱橫比使寄生表面效應更強！

• 增強表面散射的影響（a）

• 附加邊界散射（b）

• 超薄層的量子約束（c）

LINSEIS薄膜物性分析儀是表征各種薄膜樣品優(yōu)異測量工具。它是一種易于使用的獨立系統(tǒng)，使用正在申請的測量系統(tǒng)設計，可提供高質量的結果。

組件

基本設置包括一個可以輕松沉積樣品的測量芯片，以及提供所需環(huán)境條件的測量室。 根據(jù)應用，該設置可與鎖定放大器和/或強電磁鐵一起使用。 測量通常在UHV下進行，并且在測量期間使用LN2和強力加熱器將樣品溫度控制在-170°C和280°C之間。

預制測量芯片

該芯片將用于熱導率測量的3 ω技術與用于測量電阻率和霍爾系數(shù)的4點Van-der-Pauw技術相結合。 賽貝克系數(shù)可以使用位于Van-der-Pauw電極附近的附加電阻溫度計來測量。 為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩模或金屬陰影掩模。 該配置允許幾乎同時表征通過PVD（例如熱蒸發(fā)，濺射，MBE），CVD（例如ALD），旋涂，滴鑄或噴墨打印制備的樣品。

該系統(tǒng)的一大優(yōu)點是在一次測量運行中同時確定各種物理特性。所有測量都采用相同（平面內）方向，并且具有很高的可比性。

基本測量單元 ：

測量室，真空泵，帶加熱器的支架，電子頰側裝置，集成鎖相放大器，3w方法分析軟件，計算機和應用軟件?？蓽y以下物理參數(shù)：

? λ - 熱傳導系數(shù) (穩(wěn)態(tài)法/平面內方向)

? ρ - 電阻率

? σ - 電導率

? S - 賽貝克系數(shù)

? ε – 發(fā)射率

? Cp - 比熱容

磁測量單元

可根據(jù)需求選擇集成式電磁鐵，可測物理參數(shù)如下：

? A_H - 霍爾常數(shù)

? μ –遷移率

? n -載流子濃度

薄膜材料性能有別于塊體材料之處

- 因小尺寸和高縱橫比所導致的表面效應如：邊界散射和量子限域效應