能夠測(cè)量小至1mm的晶體到或更大的樣品

各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等

側(cè)晶方向標(biāo)記選項(xiàng)

無(wú)水冷卻

精度：0.01°(視晶體質(zhì)量而定)

確定單晶的晶格取向

使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量

氣冷式X射線管，無(wú)需水冷

適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制

手動(dòng)操作(沒(méi)有自動(dòng)化選項(xiàng))

晶體的方向是由反射位置決定            適合多種材料

可測(cè)量材料的例子

• 立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP

• 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC₃C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl₂O₄, SrTiO₃, LaTiO₃

• 正方：MgF₂, TiO₂, SrLaAlO₄

• 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO₃, SiO₂(石英)，Al₂O₃(藍(lán)寶石)，GaPO₄, La₃Ga₅SiO₁₄

• 斜方晶系：Mg₂SiO₄ NdGaO₃

• 可根據(jù)客戶的要求進(jìn)一步選料
  

Omega掃描能夠在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位。因此，平面方向可以直接識(shí)別。這是一個(gè)有用的功能，以標(biāo)記在平面方向或檢查方向的單位或缺口。

在晶圓片的注入和光刻過(guò)程中，平面或凹槽作為定位標(biāo)記。經(jīng)過(guò)加工后，晶圓片攜帶數(shù)百個(gè)芯片，需要通過(guò)切割將其分離。

晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平臺(tái)或缺口的位置是必要的。為了確定平面或缺口的位置，必須測(cè)量平面內(nèi)的部件。

該儀器通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)，可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶的特定位置。這簡(jiǎn)化了將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的任務(wù)，例如必須定義平面方向時(shí)。

對(duì)于高吞吐量應(yīng)用程序，可提供自動(dòng)測(cè)量解決方案。