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Flex-Axiom原子力顯微鏡

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 上海納嘉儀器有限公司
  • 品牌
  • 型號
  • 所在地 上海
  • 廠商性質 其他
  • 更新時間 2024/6/11 14:21:47
  • 訪問次數(shù) 168

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Flex-Axiom型多功能原子力顯微鏡材料研究用的多功能AFM●用于材料研發(fā)的多功能原子力顯微鏡●模塊化概念可以剛好符合您的需求●適用于任何尺寸的樣品為了材料研發(fā)上的成功,科學家們依賴于能夠隨時提供所需信息的專業(yè)工具,而不管手頭的任務是什么

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Flex-Axiom型多功能原子力顯微鏡

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材料研究用的多功能AFM

●用于材料研發(fā)的多功能原子力顯微鏡

●模塊化概念可以剛好符合您的需求

●適用于任何尺寸的樣品

為了材料研發(fā)上的成功,科學家們依賴于能夠隨時提供所需信息的專業(yè)工具,而不管手頭的任務是什么。通過推進關鍵技術與設計,Nanosurf使Flex-Axiom成為成為有史以來功能多、靈活性的AFM之一,可以輕松地處理各種材料研究應用。結合強大的C3000控制器,復雜的材料表征成為可實現(xiàn)的。


幾百個研究用戶,多方面應用實例

Flex-Axiom是您可信賴的工具,不管是在表面形貌還是計量成像上,不管在大氣中還是液體環(huán)境中。 當然Flex-Axiom不僅僅可以用于表面形貌測量,還可以進行的機械,電學或磁性能表征。該系統(tǒng)也成功地用于局部樣品納米加工。


高精確度且優(yōu)異的性能滿足您研發(fā)上的需求

Flex-Axiom使用一個極其線性的電磁掃描頭進行XY軸運動。該掃描頭實現(xiàn)了在整個掃描范圍內(nèi)的平均線性偏差小于0.1%,屬于AFM市場上的頂配。 Z軸采用壓電驅動,帶有位置傳感器,可實現(xiàn)閉環(huán)操作。一個靈敏的懸臂檢測系統(tǒng)可以很好地測量到MHz頻率范圍。掃描頭連接到具有數(shù)字反饋和2個雙通道鎖定放大器的全功能24位C3000控制器上。


Flex-Axiom 成像模式

以下描述為儀器所具備的模式。某些模式可能需要其他組件或軟件選項。詳情請瀏覽產(chǎn)品手冊或直接聯(lián)系我們。


靜態(tài)力模式
橫向力模式
動態(tài)力模式(輕敲模式)
相位成像模式


熱成像模式

熱掃描顯微 (SThM)
  

磁性能

磁力顯微

電性能

導電探針 AFM (C-AFM)
壓電力顯微 (PFM)
靜電力顯微 (EFM)
開爾文探針力顯微 (KPFM)
掃描擴散電阻顯微 (SSRM)

  


機械性能


力譜
力調(diào)制
剛度和模量
附著力
延展性
力映射

其他測量模式

刻蝕和納米加工
電化學 AFM (EC-AFM)

應用示例
SrTiO3在動態(tài)模式下的的形貌
鈦酸鍶 (SrTiO3, STO)是鈦和鍶的氧化物,具有鈣鈦礦結構。它具有有趣且部分的材料特性。 它被用作氧化物基薄膜和高溫超導體生長的基質。STO形成分層結構的表面。各層的厚度在幾埃的范圍內(nèi)。原子力顯微鏡是成像和測量這些結構的理想工具。

an01107-strontium-titanate-3d-to.png

顯示鈦酸鍶階梯的形貌圖,圖像尺寸1.1μm。

an01107-strontium-titanate-histo.png

截面輪廓和高度分布

樣品清晰地顯示了STO典型的層結構。這里,這些層并不是光滑的,顯出出大約125pm的殘余粗糙度(RMS)。這是由于在制備該STO樣品期間的非理想終止過程造成的。中間曲線圖顯示了左圖所示圖像的輪廓線,從圖像區(qū)域的左上角延伸到右下角。該輪廓還清晰地顯示了樣品的層狀結構,并揭示了層高度約.4 ?。同樣,在右側曲線圖中,左圖的高度分布直方圖清晰地顯示了大約.4 ?-即樣品的不同層之間的峰的間距。


CVD生長的二硫化鉬單層膜的形貌和KPFM

在本應用中,使用Flex-Axiom的開爾文探針力顯微 (KPFM)對通過化學氣相沉積(CVD)生長的單層MoS2進行成像,以研究單晶上的接觸電位差變化。 單層MoS 2是通過化學氣相沉積在硅基體上生長的 (樣品提供: 伊利諾伊大學 – Urbana-Champlain).單層膜表面接觸電位信號的不均勻性可以反映摻雜分布和其他表面缺陷。

AN-01154-optical-micrograph-MoS2.png

單層MoS2光學顯微圖

AN-01154-single-MoS2-monolayer.png

a)單層MoS2AFM形貌圖 輪廓的位置是紅線標注的地方
b) 單層膜上的高度(上圖)和KPFM電壓(下圖)分布

使用Flex-Axiom測量顯示的單層MoS2的臺階高度為0.6 nm。并行KPFM測量顯示單層膜和SiO 2基體之間的接觸電位差為650 mV。

AN-01154-Potential-overlay-MoS2.png

3D AFM形貌疊加MoS2

在下面的實驗中,使用 Flex-Axiom 系統(tǒng)一次性記錄了KPFM和形貌數(shù)據(jù)。 也見相關的

kpfm-overlay-on-topography-of-st.jpg

不銹鋼的KPFM 圖疊加在形貌圖上
掃描大小: 80 µm x 80 µm
電位范圍: 200 mV

topography-on-stainless-steel.jpg

形貌圖本身
掃描大小: 80 µm x 80 µm
高度范圍: 50 nm

mfm-on-stainless-steel.jpg

相同區(qū)域的MFM圖
掃描大小: 80 µm x 80 µm
相位范圍: 10°



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