產(chǎn)品簡介：蔡司Crossbeam系列輕松發(fā)現(xiàn)和設計材料蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束（FIB）優(yōu)異的加工性能。無論是在科研或是工業(yè)實驗室，您都可以在一臺設備上實現(xiàn)多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可以根據(jù)自己需求的變化隨時升級儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構分析時，Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。

1. 蔡司Crossbeam系列

   輕松發(fā)現(xiàn)和設計材料

   蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束（FIB）優(yōu)異的加工性能。無論是在科研或是工業(yè)實驗室，您都可以在一臺設備上實現(xiàn)多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可以根據(jù)自己需求的變化隨時升級儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構分析時，Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。

   
   

   √  使用Gemini電子光學系統(tǒng)，您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實樣本信息

   √  使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式，您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷，同時大大加快實驗操作過程

   √  使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能，您可以制備超薄的TEM樣品，同時將非晶化損傷降到非常低

   √  使用Crossbeam 350的可變氣壓功能

   √  或使用Crossbeam 550實現(xiàn)更苛刻的表征，大倉室甚至為您提供更多選擇

   
   優(yōu)勢
   
   

   

   
   將SEM的探測能力發(fā)揮到更好

   
   

   低電壓電子束分辨率提升高達30%

   
   

   SEM 性能

   √  無論是二維表面成像或三維重構，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優(yōu)異的表現(xiàn)

   √  即使在低加速電壓下，也可以獲得高分辨率、高襯度、高信噪比

   √  可通過一系列的探測器表征您的樣品。的Inlens EsB探測器，可獲取純的材料成分襯度信息

   √  表征不導電樣品可以不受荷電效應的影響

   
   

   蔡司Crossbeam的聚焦離子束鏡筒

   
   

   

   
   提高您的FIB樣品的測試加工效率

   通過FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可提升高達40%

   
   

   Ion-sculptor FIB

   √  采用新的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor來實現(xiàn)全新的FIB加工方式

   √  獲得高質(zhì)量的樣品，最小化FIB導致的樣品損傷，同時加快實驗操作過程

   √  使用高達100nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率

   √  得益于智能的FIB掃描策略，移除材料相比以往實驗將快40%以上

   
   

   蔡司Crossbeam的三維能譜分析

   
   

   

   
   在FIB-SEM分析中體驗優(yōu)異的三維空間分辨率

   
   

   體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢

   
   

   三維重構分析

   √  可使用蔡司Atlas 5軟件擴展您的Crossbeam，它是一個針對快速而準確的三維斷層成像的軟硬件包。

   √  使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過程中進行EDS和EBSD分析

   √  FIB-SEM的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測器，探測深度小于3nm，可獲得極表面的、材料成分襯度圖像

   √  減薄的過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時間，精確的體素尺寸和自動工作流程保證圖像質(zhì)量