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高精度實時三維分析FIB-SEM三束系統(tǒng) NX9000

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追求理想的三維結(jié)構(gòu)分析通過自動重復(fù)使用FIB制備截面和進行SEM觀察,采集一系列連續(xù)截面圖像,并重構(gòu)特定微區(qū)的三維結(jié)構(gòu)。采用的鏡筒布局,從材料、設(shè)備到生物組織——在寬廣的領(lǐng)域范圍內(nèi)實現(xiàn)傳統(tǒng)機型難以企及的高精度三維結(jié)構(gòu)分析。SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角,形成三維結(jié)構(gòu)分析的鏡筒布局融合高亮度冷場發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統(tǒng),從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Tripl...

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概述
產(chǎn)品參數(shù)

追求理想的三維結(jié)構(gòu)分析


通過自動重復(fù)使用FIB制備截面和進行SEM觀察,采集一系列連續(xù)截面圖像,并重構(gòu)特定微區(qū)的三維結(jié)構(gòu)。

采用的鏡筒布局,從材料、設(shè)備到生物組織——在寬廣的領(lǐng)域范圍內(nèi)實現(xiàn)傳統(tǒng)機型難以企及的高精度三維結(jié)構(gòu)分析。

  • SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角,形成三維結(jié)構(gòu)分析的鏡筒布局

  • 融合高亮度冷場發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統(tǒng),從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品

  • 通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Triple Beam®系統(tǒng)*,可支持制作高品質(zhì)TEM及原子探針樣品

產(chǎn)品參數(shù)
項目內(nèi)容
SEM電子源冷場場發(fā)射型
加速電壓0.1 ~ 30 kV
分辨率2.1 nm@1 kV
1.6 nm@15 kV
FIB離子源
加速電壓0.5 ~ 30 kV
分辨率4.0 nm@30 kV
束流100 nA
標準探測器In-colum二次電子探測器/In-colum背散射電子探測器/
樣品室二次電子探測器
樣品臺X0 ~ 20 mm *2
Y0 ~ 20 mm *2
Z0 ~ 20 mm *2
θ0 ~ 360° *2
τ-25 ~ 45° *2
樣品尺寸正方形邊長6 mm × 厚度2 mm
  • *2:

  • 根據(jù)樣品座不同,行程不同


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