功率半導(dǎo)體雪崩耐量測試系統(tǒng)是針對雪崩能量測試臺，是針對半導(dǎo)體器件 IGBT、二極管、MOS 等設(shè)計的測試設(shè)備 儀器，對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端所產(chǎn)生較大的尖峰電壓，就要考慮 器件的雪崩能量耐受，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因 此對于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率 器件都會電壓降額， 從而留有足夠的電壓余量。

BW-UIS-3500

雪崩耐量測試系統(tǒng)

雪崩能量測試臺，是針對半導(dǎo)體器件 IGBT、二極管、MOS 等設(shè)計的測試設(shè)備 儀器，對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端所產(chǎn)生較大的尖峰電壓，就要考慮 器件的雪崩能量耐受，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因 此對于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率 器件都會電壓降額， 從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸出短路 時，初級中會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能， 因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的 負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動和堵轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此也要考慮 器件的雪崩能量。 ? 該設(shè)備儀器是專門測試 IGBT、MOS 及二極管的雪崩耐量，能夠準(zhǔn)確快速測試 出它們的雪崩耐量，該設(shè)備主要包組成單元有：可控直流電源、可選電感、電 流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT 功率型器件、IGBT 功率型器件 保護(hù)電路、計算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試標(biāo) 準(zhǔn)適配器等   。  

技術(shù)指標(biāo)：

>  浪涌電流（IFSM/ITSM）調(diào)節(jié)范圍：0.30～3.60kA

>  分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

>  電流波形：正弦半波，底寬10ms

>  測試頻率：單次

>  反向電壓（VRRM）調(diào)節(jié)范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

>  反向電壓測試頻率：50Hz；

>  反漏電流（IRRM）測試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

工作方式：

>  由觸摸液晶屏設(shè)定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護(hù)值

>  按測試按鍵后設(shè)備自動完成測試

外形尺寸：

>  600×800×1900×1（寬×深×高×并柜數(shù)，單位：mm）

系統(tǒng)說明：

>  上述設(shè)備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。

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