普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)更多詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢
圖5:IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖
普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
高電壓、大電流
具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(Z大可擴(kuò)展至10kV)
具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測(cè)量
納安級(jí)漏電流,μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
0.1%精度測(cè)量
模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元
測(cè)試效率高
內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元
支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試
擴(kuò)展性好
支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具
“魔方”式的系統(tǒng)組成
普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要由測(cè)試儀表、上位機(jī)軟件、電腦、矩陣開(kāi)關(guān)、夾具、高壓及大電流信號(hào)線等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的靜態(tài)測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種電壓、電流等級(jí)的測(cè)量單元。結(jié)合自主開(kāi)發(fā)的上位機(jī)軟件控制測(cè)試主機(jī),可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,選擇不同的電壓、電流等級(jí),以滿足不同測(cè)試需求。
系統(tǒng)主機(jī)的測(cè)量單元,主要包括普賽斯P系列高精度臺(tái)式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電源、E系列高壓源測(cè)單元、C-V測(cè)量單元等。其中,P系列高精度臺(tái)式脈沖源表用于柵極驅(qū)動(dòng)與測(cè)試使用,Z大支持30V@10A脈沖輸出與測(cè)試;HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極、發(fā)射極之間電流測(cè)試及續(xù)流二極管的測(cè)試,15us的超快電流上升沿,自帶電壓采樣,單設(shè)備支持Z大1000A脈沖電流輸出;E系列高壓源測(cè)單元用于集電極、發(fā)射極之間電壓、漏電流測(cè)試,Z高支持3500V電壓輸出,并且自帶電流測(cè)量功能。系統(tǒng)的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),精度為0.1%。
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的“一鍵”測(cè)試項(xiàng)目
普賽斯現(xiàn)在可以提供完整的IGBT芯片和模塊參數(shù)的測(cè)試方法,可以輕松實(shí)現(xiàn)靜態(tài)參數(shù)l-V和C-V的測(cè)試，最終輸出產(chǎn)品Datasheet報(bào)告。這些方法同樣適用于寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN功率器件。
IGBT靜態(tài)測(cè)試夾具方案
針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的IGBT產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案,可用于TO單管、半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)訂貨信息
