快速退火爐 嘉儀通RTP4吋快速退火爐 控溫精度準 升溫速度快 半導體退火設(shè)備采用紅外輻射加熱技術(shù)，可實現(xiàn)大尺寸樣品（4英寸樣品）快速升溫和降溫，同時搭配高精度溫度控制系統(tǒng)，可達到比較好的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)工作起到重要作用。

快速退火爐 嘉儀通RTP4吋快速退火爐 控溫精度準 升溫速度快 半導體退火設(shè)備采用紅外輻射加熱技術(shù)，可實現(xiàn)大尺寸樣品（4英寸樣品）快速升溫和降溫，同時搭配高精度溫度控制系統(tǒng)，可達到比較好的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)工作起到重要作用。采用紅外輻射加熱技術(shù)，可實現(xiàn)大尺寸樣品（4英寸樣品）快速升溫和降溫，同時搭配高精度溫度控制系統(tǒng)，可達到比較好的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)工作起到重要作用。

 快速退火爐 嘉儀通RTP4吋快速退火爐 控溫精度準 升溫速度快 半導體退火設(shè)備有以下特點：

• 可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。

• 可遠程操作：提供遠程監(jiān)控模塊。

• 壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。

• 存儲熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實驗效率，數(shù)據(jù)可查詢。

• 快速控溫與高真空：升溫速率可達150℃/s，真空度可達到10-3Pa。

• 程序設(shè)定與氣路擴展：可實現(xiàn)不同溫度段的精確控制，進行降溫段的自動轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M行保存，方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量，實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、氮氣等）下的熱處理。

• 特別的腔體空間設(shè)計：保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1.5%。

• 全自動智能控制：采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。

• 超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設(shè)備急停安全保護三重安全措施，多方位保障設(shè)備使用安全。

• 國產(chǎn)退火爐：擁有自主研發(fā)技術(shù)和制造能力，能快速反應(yīng)客戶售后需求。

桌面式4吋快速退火爐已經(jīng)被應(yīng)用于下列客戶的科研制造中:

• 金屬電極合金化························華為海思半導體、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、浙江大學微電子系

• 硬質(zhì)合金薄膜去應(yīng)力退火················哈爾濱工業(yè)大學航天學院等

• 石墨烯生長····························中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所等

• 器件退火RTP······························清華大學微電子系等

• 材料再結(jié)晶、晶化······················華南理工大學材料科學與工程學院等

• 熱氧化RTO、熱氮化RTN································浙江大學硅材料國家重點實驗室、中國科學技術(shù)大學微電子學院等

• ITO膜致密化···························浙江大學信息與電子工程學院等

• 應(yīng)用于超凈間··························上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、清華大學微電子學研究所

• 薄膜CVD生長··························武漢理工大學材料復(fù)合新技術(shù)國家重點實驗室等

• 搭載電學測試模塊變溫電阻測量···········華中科技大學微電子學院、中國工程物理研究所

• 等離子注入/接觸退火

• 太陽能電池片鍵合

• 低介電材料熱處理

• 芯片晶圓熱處理RTA

• 鍵合爐/合金爐

• 其他熱工藝需求