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RTP-3-04 半導(dǎo)體芯片退火設(shè)備 RTP快速退火爐

參考價(jià) 560000 550000 530000
訂貨量 1-2 3-5 ≥6
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 武漢嘉儀通科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 RTP-3-04
  • 所在地 武漢市
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2023/6/14 15:33:27
  • 訪問次數(shù) 404

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半導(dǎo)體芯片退火設(shè)備 RTP快速退火爐可應(yīng)用于集成電路的離子注入退火;集成電路、LED芯片、半導(dǎo)體激光器芯片、射頻芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半導(dǎo)體等的合金化退火;石墨烯,Au納米晶的制備;集成電路,LED芯片、第三代半導(dǎo)體等的致密化退火;集成電路、分立器件、功率器件、射頻芯片等的熱氮化/熱氧化退火。

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

半導(dǎo)體芯片退火設(shè)備 RTP快速退火爐可應(yīng)用于集成電路的離子注入退火;集成電路、LED芯片、半導(dǎo)體激光器芯片、射頻芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半導(dǎo)體等的合金化退火;石墨烯,Au納米晶的制備;集成電路,LED芯片、第三代半導(dǎo)體等的致密化退火;集成電路、分立器件、功率器件、射頻芯片等的熱氮化/熱氧化退火。

快速退火爐(RTP-3-04臺式系列) (3).png


快速退火爐對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)起到重要作用。

溫度范圍:RT~1200℃,大升溫速率:50 ℃/s  控溫精度:±0.1℃   溫度均勻性:±1%   降溫速率:1200℃→400℃:200℃/min400℃→100℃:20℃/min


半導(dǎo)體芯片退火設(shè)備 RTP快速退火爐產(chǎn)品特點(diǎn)

● 快速加熱和降溫: 高可控升溫速率可達(dá)50 ℃/s,特定條件下可以達(dá)到100 ℃/s。冷壁水冷設(shè)計(jì)能夠達(dá)到較大的降溫速率,特定條件下可達(dá)30 ℃/s。

● 精確控溫: 采用工業(yè)溫控器進(jìn)行PID精確控溫,目標(biāo)溫度與設(shè)定溫度曲線一致性高,可實(shí)現(xiàn)室溫至1200 ℃的溫度精確控制。

● 適應(yīng)多種工藝環(huán)境: 滿足多種工藝氣氛下的熱處理(氮?dú)狻鍤獾龋?。同時(shí),通過選配真空泵,可以在真空條件下進(jìn)行退火,高真空度可達(dá)10-3Pa。

● 配備觀察窗口: 通過觀察窗口,可以實(shí)時(shí)觀察熱處理過程中的樣品變化。同時(shí),可以結(jié)合相關(guān)測試方法進(jìn)行原位測試分析。

● 超高安全系數(shù): 采用爐壁超溫報(bào)警系統(tǒng)和冷卻水流量報(bào)警系統(tǒng),多方位保障儀器使用安全。

● 國產(chǎn)退火爐:擁有自主研發(fā)技術(shù)和制造能力,能快速反應(yīng)客戶售后需求。


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